本報北京2月21日電（記者晉浩天）北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團隊與北京大學(xué)電子學(xué)院邱晨光研究員團隊合作，研制出世界首例低功耗高性能二維環(huán)柵晶體管及邏輯單元，該晶體管的速度和能效同時超越了硅基物理極限，是世界上迄今速度最快、能耗最低的晶體管。該工作有望推動芯片領(lǐng)域新一輪技術(shù)革新，為我國先進制程集成電路制造技術(shù)發(fā)展贏得主動。相關(guān)成果日前發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然·材料》。

何為二維環(huán)柵晶體管？彭海琳介紹，“二維”指二維半導(dǎo)體材料，“環(huán)柵”指柵極全環(huán)繞包圍半導(dǎo)體溝道的結(jié)構(gòu)，二維環(huán)柵晶體管是未來集成電路芯片功耗縮放與性能釋放的最優(yōu)解之一。然而，當前最高水平的二維環(huán)柵晶體管的性能與功耗尚不能和主流硅基晶體管相比，同時也缺乏規(guī)模化制備二維環(huán)柵晶體管異質(zhì)結(jié)的手段。

彭海琳團隊運用自主研發(fā)的新型高遷移率鉍基二維半導(dǎo)體材料（硒氧化鉍，Bi2O2Se）及其高介電常數(shù)自然氧化物柵介質(zhì)（Bi2SeO5），將其用于制作最先進的二維環(huán)柵晶體管，可謂對晶體管進行“跨代升級”。該二維半導(dǎo)體溝道與層狀自然氧化物柵的界面結(jié)構(gòu)呈原子級平整，缺陷極少，性能穩(wěn)定，能極大減少電流損耗，如同“內(nèi)壁光滑的水管”，讓水流在水管內(nèi)毫無阻力地高速流動?！斑@種材料制成的控制柵極可以做得非常薄且不漏電，在提升算力的同時還將能耗降到最低?！迸砗Ａ照f。

令人振奮的是，在相同工作條件下，他們研制的鉍基二維環(huán)柵晶體管性能已超越英特爾、臺積電、三星、比利時微電子中心報道的最先進的環(huán)柵晶體管?！斑@一晶體管的運算速度和能效超越當前商用硅基晶體管的最佳水平。更重要的是，這是由我國科學(xué)家自主開發(fā)的材料體系?！鼻癯抗獗硎?。

彭海琳告訴記者，團隊制作的二維環(huán)柵晶體管小型邏輯單元，為下一步規(guī)模邏輯器件量產(chǎn)積累了經(jīng)驗、奠定了基礎(chǔ)?，F(xiàn)階段，該晶體管可用于制造高性能傳感器和柔性電子器件，團隊也發(fā)現(xiàn)了其更大的潛力。“鉍基二維晶體管具有豐富的科學(xué)內(nèi)涵與廣闊的應(yīng)用前景，我們正開展更深入研究，隨著技術(shù)優(yōu)化，該類晶體管有望實現(xiàn)傳感、存儲、計算一體化集成功能，這種感存算一體化將引發(fā)更具競爭力的技術(shù)革新?！?/p>

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